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东芝推出最大容量32GB嵌入式NAND闪存

文章来源:电脑商网 发布时间:2008-8-11 17:06:18

2008年8月7日,东芝今天宣布推出多款最大容量为32GB的嵌入式NAND闪存模块,并宣布这些产品完全符合e-MMC*2和eSD*3标准。这些嵌入式产品用于移动数码消费产品,包括手机和数码相机。样品将于2008年9月出厂,从第四季度开始量产。

该款32GB嵌入式新产品采用东芝先进的43nm制程技术,收纳了8枚32Gbit(=4GB)的NAND芯片和一个专用控制器。新产品完全符合JEDEC/MMCAVer4.3*4和SDAVer2.0*5标准以及MultiMediaCardAssociation(多媒体卡协会)和SDCardAssociation(SD卡协会)专为记忆卡定义的高速存储器标准,支持标准接口连接和简化嵌入,从而减小产品制造商的开发负担。

东芝提供一系列单封装嵌入式NAND闪存,这些闪存产品都包括一个控制器,可用于管理NAND应用的基本控制功能:配备一个NAND接口的LBA-NAND*6存储器;带有SD接口的eSD大容量芯片;以及配备一个HS-MMC接口的e-MMC。这个综合产品系列的容量从1GB到32GB不等,支持在各种产品中的应用。

随着带有降低开发要求、便于系统设计集成的控制器功能的存储器需求不断扩大,东芝已经采取行动,在这个不断扩大的市场上占领领先地位,同时加入更大容量的模块,这将有助于巩固公司的地位。

新产品的概要

e-MMC

型号

容量

封装

样品出货

量产时间

量产规模

THGBM 1G 8D8EBAI2

32GB

169BallFBGA

14x18x 1.4mm

200810

20084季度

10月~12月)

 

 

 

 

总体

100万个/

THGBM 1G 7D8EBAI0

16GB

169BallFBGA

12x18x 1.4mm

20089

20084季度

10月~12月)

THGBM 1G 7D4EBAI2

16GB

169BallFBGA

14x18x 1.4mm

20084季度

10月~12月)

20084季度

THGBM 1G 6D4EBAI4

8GB

169BallFBGA

12x18x 1.3mm

20089

 

20084季度 10月~12月)

THGBM 1G 5D2EBAI7

4GB

169BallFBGA

12x16x 1.3mm

200810

20084季度

10月~12月)

THGBM 1G 4D1EBAI7

2GB

169BallFBGA

12x16x 1.3mm

20084季度 10月~12月)

2009年第1季度 1月~3月)

THGBM 1G 3D1EBAI8

1GB

153BallFBGA

11.5x13x 1.2mm

20084季度

10月~12月)

2009年第1季度 1月~3月)

esd

型号

容量

封装

样品出货

量产时间

量产规模

THGVS 4G 8D8EBAI2

32GB

169BallFBGA

14x18x 1.4mm

20089

20084季度

10月~12月)

 

 

 

 

总体

50万个/

THGVS 4G 7D8EBAI0

16GB

169BallFBGA

12x18x 1.4mm

20089

20084季度

10月~12月)

THGVS 4G 7D4EBAI2

16GB

169BallFBGA

14x18x 1.4mm

20084季度

10月~12月)

20084季度

 

THGVS 4G 6D4EBAI4

8GB

169BallFBGA

12x18x 1.3mm

20089

20084季度

10月~12月)

THGVS 4G 5D2EBAI4

4GB

169BallFBGA

12x18x 1.3mm

20084季度

10月~12月)

20084季度

10月~12月)

THGVS 4G 4D1EBAI4

2GB

169BallFBGA

12x18x 1.3mm

20084季度

10月~12月)

2009年第1季度

1月~3月)

THGVS 4G 3D1EBAI8

1GB

153BallFBGA

11.5x13x 1.2mm

2009年第1季度

1月~3月)

2009年第1季度

1月~3月)

新产品的主要特征

新产品的主要特征

1.内置以JEDEC/MMCAVer4.3和SDAVer2.0规定为标准的控制器,包括用于处理写入块管理、错误修正(ECC)和驱动器软件等基本功能。这个控制器使系统开发得到简化,从而使制造商可将开发成本降到最低,同时善用时间为新产品和升级产品开拓市场。
2.拥有从1GB到32GB的多种产品。最大容量的32GB嵌入式产品以128Kbps的位速率可以记录大约560小时的音乐数据,4小时的全高清视频*7以及7.3小时的标清视频数据。(*7高清和标清分别表示在17Mbps和9Mbps的位速率下计算。)
3.采用先进的43nm制程技术,在32GB产品中堆栈8层32Gbit(=4GB)的芯片。32GB产品结构的SEM(扫描电子显微镜)照片

新产品的主要规格

e-MMC

型号/容量

THGBM1G8D8EBAI2

32GB

THGBM1G7D8EBAI0THGBM1G7D4EBAI2

16GB

THGBM1G6D4EBAI4

8GB

THGBM1G5D2EBAI7

4GB

THGBM1G4D1EBAI7

2GB

THGBM1G3D1EBAI8

1GB

接口

JEDEC/MMCVer.4.3规定为标准的HS-MMC接口

电源电压

2.73.6V(存储器内核)/ 1.7V1.95V(接口)

总线宽度

x1/x4/x8

写入速度

目标10MB/秒(时序模式)

目标18MB/秒(时序/交叉模式)*8

读取速度

目标20MB/秒(时序模式)

工作温度

-25+85

封装

153BallFBGA+16支持Ball

*8仅用于THGBM1G8D8EBAI2和THGBM1G7D4EBAI2


eSD

接口

SDAVer2.0规定为标准的SD接口

电源电压

2.7-3.6V

总线宽度

x1/x4

写入速度

SDA标准4

读取速度

SDA标准4

工作温度

                                 -25+85                 

封装

153BallFBGA+16支持Ball

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